YbF3(フッ化イッテルビウム)の特性

2011年5月8日更新
膜特性(YbF3 フッ化イッテルビウム)
屈折率 1.52(550nm近辺)※3
使用波長域 0.22-12μm ※3
蒸発方法 EB(電子ビーム)、抵抗加熱
蒸発源材料 モリブデン、タンタル
蒸発タイプ -
膜質 -
応力 -
主な用途 赤外域用の各種光学部品
YbF3の材料特性(一般的なバルクの物性値)
理論密度 8.2g/cm3
融点 1157℃
沸点 2230℃
性質 可溶(HNO3)、不溶(水) ※1
結晶構造 斜方 YF3型 高温で六方晶に転移 ※2
抵抗率ρ/10^-8Ωm -
誘電率、比誘電率εγ -
熱膨張係数 -
熱伝導率(cal/cm/sec/℃) -
比熱(cal/℃/mole) -
外観 白色
CAS-NO
輸送情報 輸出貿易管理令(リスト規制非該当)

参照文献

  • ※1:[日本化学会編,“化学便覧 基礎編 改訂5版”,丸善(2005),p.T-358]
  • ※2:[日本化学会編,“化学便覧 基礎編 改訂5版”,丸善(2005),p.U-836]
  • ※3:光学薄膜と成膜技術 李正中 署 株式会社アルバック訳 アグネ技術センター2005年8月30日初版第三刷

専門誌等で発表されているYbF3の薄膜に関する研究論文

掲載誌 Thin Solid Films, 333(1998)191-195
タイトル "Ion beam-assisted deposition of MgF2 and YbF3 films"
著者 M.Kennedy, D.Ristau, H.S.Niederwald
概要 イオンアシスト蒸着(IAD)によるMgF2とYbF3の各単層膜について、室温での蒸着におけるイオンエネルギー、イオン電流、異なる導入ガスによる光学的、機械的特性の変化について調査した研究論文

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