「SiCが拓くパワーデバイスの未来」

2012年10月25日最終更新

砥粒加工学会 先端加工ネットワーク(AMT-NET)で企画された大口径SiCについての講演会の情報です。次世代パワーデバイスとして注目を集めるSiCの大口径化について技術的な観点から各分野の専門家が講演を行います。次世代パワーデバイス材料として実用化が進められている大口径SiCについて、素材からウエハまでの製造プロセスを対象として、最新の技術、課題、解決への取り組みなどが紹介される予定です。

SiCセミナー開催概要

日時 平成24年11月15日(木) 13:00〜20:00
開催場所: 関西大学東京センター(東京駅八重洲北口サピアタワー9階)アクセスマップ
定員: 100名(申込先着順により定員になり次第締切ります)
参加費: 15,000円(講演資料含む).拡大技術交流会参加費3,000円(予定)は別途徴収致します.
出欠回答締切: 平成24年11月9日(金)
出欠回答返信先並びに問合先: 千葉大学大学院工学研究科機械系コース(先端加工ネットワーク幹事) 松坂壮太 TEL:043-290-3225 FAX:043-290-3225 E-mail:matusaka@faculty.chiba-u.jp SiCセミナー申込書(PDF)

SiCのセミナー詳細内容とスケジュール

13:00〜13:10 開会挨拶 先端加工ネットワーク委員長 千葉大学 森田 昇
13:10〜14:10 特別講演 「大口径SiCウェハの加工技術開発」 独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター 加藤 智久 氏
14:10〜14:55 講演@ 「昇華法による大口径SiC単結晶成長技術」 新日本製鐵 先端技術研究所 藤本 辰雄 氏
14:55〜15:10 休憩
15:10〜15:55 講演A「SiC単結晶スライス加工技術」 トーヨーエイテック 開発設計部 星山 豊宏 氏
15:55〜16:40 講演B:「SiCウェハ研削加工技術」 潟iガセインテグレックス テクニカルセンター 藤井 大 氏
16:40〜17:25 講演C:「パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハ生産技術」 昭和電工 研究開発本部SiCパワーエレクトロニクスプロジェクト 佐藤 貴幸氏
17:25〜17:30 閉会挨拶 先端加工ネットワーク副委員長 金沢工業大学 諏訪部 仁
18:00〜20:00 拡大技術交流会 トラットリア パパミラノ(サピアタワー3階)

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